容量：16K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)歐姆龍C200H-IM211。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫入C200H-IM211
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫步。輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)、漏型(128點(diǎn)源型可輸出設(shè)定)。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：16mA/4.5V～100mA/26.4V歐姆龍C200H-IM211。
外部接線：連接器方式(適用連接器C500-CE241)。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1單元（No.0～9）。
國際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、CE。
這些高密度I/O單元作為特殊I/O單元處理。
它們還可以用作128點(diǎn)（64點(diǎn)雙回路）動(dòng)態(tài)輸出單元。
能大量減少多位輸出設(shè)備的接線歐姆龍C200H-IM211。
當(dāng)這些模塊安裝在從站機(jī)架上時(shí)遠(yuǎn)程I/O主站必須是C200H-RM001-PV1或C200H-RM201。只能用在SYS-MAC-CPT上。
程序容量：7.2K字。
RS-232端口：有。
I/O點(diǎn)數(shù)：880點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：2臺(tái)。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字歐姆龍交流/直流輸入模塊。
處理時(shí)間(基本指令)： 0.3μs 。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)多路化控制的實(shí)現(xiàn)。
通信協(xié)議宏功能歐姆龍交流/直流輸入模塊。
用簡易的通信連接簡化系統(tǒng)開發(fā)。
走向情報(bào)化、標(biāo)準(zhǔn)化及開放式，始終注視著下一世紀(jì)的生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。
提高開發(fā)效率。
加速應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)情報(bào)化。回路數(shù)：2回路。
溫度傳感器輸入：鉑電阻輸入（JPt100、 Pt100）歐姆龍交流/直流輸入模塊。
控制輸出：ON/OFF電流輸出（線性）。
溫度控制單元一個(gè)單元可連接2臺(tái)溫度傳感器。
溫控控制單元用所連接的溫度傳感男廁（熱電偶或鉑電阻）測(cè)量物體溫度并按預(yù)置的控制模式控制其溫度。
溫度傳感器可以是熱電偶或鉑電阻。
用內(nèi)部開關(guān)可以選擇10種熱電偶和2種鉑熱電阻。
控制輸出可以選為晶體管輸出，電壓輸出或電流輸出。
在采樣周期為500ms，指示精度為正負(fù)0.5%情況下，
可實(shí)現(xiàn)高速溫度控制。
8個(gè)數(shù)據(jù)如主設(shè)定值，報(bào)警設(shè)定值值，
輸入偏移范圍等，可預(yù)置在一個(gè)數(shù)據(jù)組內(nèi)C200H-IM211。
多可存放8組，每組可供不不同的用途歐姆龍C200H-IM211。
在運(yùn)行過程中數(shù)據(jù)可以變換。
報(bào)警輸出可選擇十種以上模式，如上限、下限、上下限等。
加熱器電流由電流互感器監(jiān)視，監(jiān)視精度達(dá)0.1A。
使用加熱器燒斷檢測(cè)，可以快速檢測(cè)出加熱器的燒斷故障。